高頻Q表法介電常數介質損耗測試儀由(you)916測試裝置（夾具）、GDAT型(xing)高頻(pin)Q表(biao)、數據(ju)采集和tanδ自動(dong)測量控(kong)件（裝入(ru)GDAT)、及(ji)LKI-1型(xing)電感(gan)器組(zu)成，它(ta)依據國標GB/T 1409-2006、美標(biao)ASTM D150以及電(dian)工委員(yuan)會IEC60250的規定(ding)設計制作(zuo)。系統提供了絕緣材料(liao)的高(gao)頻(pin)介質損耗角正切值(tanδ)和介電常(chang)數(ε)自(zi)動(dong)測量的(de)解(jie)決(jue)方案(an)。

高頻Q表法介電常數介質損耗測試儀主要技(ji)術指標：

2.1 tanδ和ε性(xing)能：

2.1.1 固體絕緣材(cai)料測試頻(pin)率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。

2.1.2 tanδ和ε測量范(fan)圍(wei)：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測(ce)量精(jing)度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工(gong)作頻(pin)率范圍(wei)：50kHz～50MHz    四位數(shu)顯，壓控振蕩器

Q值(zhi)測量范圍：1～1000三位數顯(xian)，±1Q分辨率(lv)

可調電容范圍：40～500 pF  ΔC±3pF

電容測量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電(dian)感值：約20nH

電(dian)感測量

a．測量范圍(wei)：0.1μH～1H。

b．分(fen) 檔：分(fen)七個量程。

0.1～1μH， 1～10μH， 10～100μH，

0.1～lmH， 1～10mH， 10～100mH， 100 mH～1H。

振(zhen)蕩(dang)頻率

a．振蕩頻(pin)率范圍：25kHz～50MHz；

b．頻率分檔：

25～74kHz， 74～213kHz， 213-700kHz， 700kHz～1.95MHz，

1.95MHz～5.2MHz， 5.2MHz～17MHz， 17～50MHz。

c．頻率誤(wu)差：2×10±1個字。

Q合格指示預置(zhi)功能，預置(zhi)范圍：5～999。

各種(zhong)電(dian)(dian)瓷、裝置瓷、電(dian)(dian)容器等陶瓷，還有復(fu)合材(cai)料等的(de)一項重要(yao)的(de)物(wu)理性質，通過(guo)測定介(jie)質損(sun)耗角正切tanδ及介(jie)電(dian)(dian)常數(shu)（ε），可進一步了解影響介(jie)質損(sun)耗和介(jie)電(dian)(dian)常數(shu)的(de)各種(zhong)因素，為提高(gao)材(cai)料的(de)性能提供依據(ju)；儀器的(de)基本原理是采(cai)用高(gao)頻(pin)諧振法(fa)，并提供了，通用、多用途、多量程的(de)阻(zu)抗測試。

它以單片計(ji)算機(ji)作為(wei)儀器(qi)的(de)控(kong)制，測(ce)量(liang)(liang)核心采用(yong)了(le)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)數(shu)字鎖定，標準頻(pin)(pin)(pin)率(lv)測(ce)試點(dian)自(zi)(zi)動設(she)定，諧(xie)(xie)(xie)振(zhen)點(dian)自(zi)(zi)動搜索，Q值(zhi)量(liang)(liang)程自(zi)(zi)動轉換，數(shu)值(zhi)顯示等(deng)新技術，改進(jin)了(le)調諧(xie)(xie)(xie)回(hui)路(lu)，使得(de)(de)調諧(xie)(xie)(xie)測(ce)試回(hui)路(lu)的(de)殘(can)余電(dian)感減(jian)至(zhi)zui低，并保留了(le)原(yuan)Q表中自(zi)(zi)動穩幅等(deng)技術，使得(de)(de)新儀器(qi)在使用(yong)時更為(wei)方便，測(ce)量(liang)(liang)值(zhi)更為(wei)精確。儀器(qi)能(neng)(neng)在較(jiao)高(gao)的(de)測(ce)試頻(pin)(pin)(pin)率(lv)條件下，測(ce)量(liang)(liang)高(gao)頻(pin)(pin)(pin)電(dian)感或諧(xie)(xie)(xie)振(zhen)回(hui)路(lu)的(de)Q值(zhi)，電(dian)感器(qi)的(de)電(dian)感量(liang)(liang)和分(fen)布電(dian)容量(liang)(liang)，電(dian)容器(qi)的(de)電(dian)容量(liang)(liang)和損(sun)耗角正切值(zhi)，電(dian)工材料的(de)高(gao)頻(pin)(pin)(pin)介(jie)質(zhi)損(sun)耗，高(gao)頻(pin)(pin)(pin)回(hui)路(lu)有效并聯及串(chuan)聯電(dian)阻(zu)，傳(chuan)輸(shu)線的(de)特性阻(zu)抗等(deng)。該(gai)儀器(qi)用(yong)于科研機(ji)關、學(xue)校、工廠等(deng)單位對無機(ji)非金屬(shu)新材料性能(neng)(neng)的(de)應用(yong)研究(jiu)。

1、液(ye)體(ti)介電常數(shu)測定儀

2、低頻介(jie)電常數測(ce)試儀(yi)

3、高頻介(jie)電(dian)常數測試儀(yi)

4、塑料介電常數(shu)測試儀(yi)

5、聚乙(yi)烯介電常(chang)數測定儀

6、硅橡膠介電常數測定儀(yi)

7、橡膠(jiao)介電常數測定儀

8、材料介電常數測定儀

9、薄膜介電(dian)常(chang)數測(ce)定(ding)儀(yi)

10、聚(ju)酯薄膜(mo)介電常數測(ce)試(shi)儀

11、聚合物介電常數測量儀

12、介電(dian)常(chang)數及介質損耗(hao)測試儀

裝置(zhi)：

2.3.1 平板電容器極(ji)片尺(chi)寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平(ping)板電容器間距(ju)可(ke)調范圍和分辨率(lv)：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： ;0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓(yuan)筒(tong)電(dian)容器可調范(fan)圍(wei)：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝(zhuang)置插頭(tou)間距：25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗(hao)角正切值(zhi):≤2.5×10-4