塑料材料介電常數介質損耗測試儀廠家

介(jie)(jie)電(dian)常數介(jie)(jie)質損耗試驗儀

 GDAT-A
介電常數介質損耗試驗儀滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內)下電容率和介質損耗因數的推薦方法
 

塑料材料介電常數介質損耗測試儀廠家技術指標
  1．Q值測量
   a．Q值測量范圍：2～1023。
   b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。
 c．標稱誤差

項    目GDAT-A
頻率范圍20kHz～10MHz；
固有誤差≤5％
工作誤差≤7％
頻率范圍10MHz～60MHz；
固有誤差≤6％
工作誤差≤8％
 

2．電感測量范圍：14.5nH~8.14H
 
3．介電常數介質損耗試驗儀電容測量：1~ 460

項    目    GDAT-A
直接測量范圍
1～460pF     主電容調節范圍      準確度 30～500pF   150pF以下±1.5pF；   150pF以上±1％
   注：大于直接測量范圍的電容測量見使用規則
   4．介電常數介質損耗試驗儀信號源頻率覆蓋范圍

項     目
GDAT-A
頻率范圍
10kHz～50MHz
頻率分段
(虛擬)
10～99.9999kHz
100～999.999kHz
1～9.99999MHz
10～60MHz    

塑料材料介電常數介質損耗測試儀廠家電感：
 
線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值 
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH           
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH

 
雙掃描技術 - 測試頻率和調諧電容的雙掃描、自動調諧搜索功能。
雙測試要素輸入 - 測試頻率及調諧電容值皆可通過數字按鍵輸入。
雙數碼化調諧 - 數碼化頻率調諧，數碼化電容調諧。
自動化測量技術 -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。
全參數液晶顯示 – 數字顯示主調電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。
DDS 數字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩定。
計算機自動修正技術和測試回路優化 —使測試回路 殘余電感減至低，治療 Q 讀數值在不同頻率時要加以修正的困惑。

介電常數測試儀根據靜電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)學的(de)研究成果， 真(zhen)空中(zhong)一(yi)(yi)個孤立的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷q 會在其周圍產(chan)生電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場E，當另外的(de)一(yi)(yi)個試驗電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷q0 進入到該電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場中(zhong)時(shi)會受(shou)到電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場力的(de)作用。由(you)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)荷q 所產(chan)生的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)場強度為：

　　其中， ε₀為(wei)真(zhen)空(kong)中的(de)(de)(de)介電(dian)常(chang)數；r 為(wei)距(ju)離點(dian)電(dian)荷(he)q 的(de)(de)(de)徑向(xiang)距(ju)離。一般來(lai)說，電(dian)場強度是一個矢量。試(shi)驗電(dian)荷(he)q0 在距(ju)電(dian)荷(he)q的(de)(de)(de)距(ju)離為(wei)r 的(de)(de)(de)點(dian)上受到(dao)的(de)(de)(de)電(dian)場力為(wei)：

　　根據力的反作用性質，電荷q 也同樣受到試驗電荷q0所產生的電場的力的作用且作用力的大小相等方向相反。根據式(1) 可知，真空中的介電常數ε₀表征了孤(gu)立電(dian)荷(he)q 在給定的(de)距(ju)離(li)r 上產生的(de)電(dian)場(chang)強度(du)的(de)大小。如果將(jiang)式(shi)(1) 中的(de)真(zhen)空條件換(huan)為(wei)某(mou)種(zhong)電(dian)介質， 則同樣的(de)孤(gu)立電(dian)荷(he)q 所產生的(de)電(dian)場(chang)強度(du)將(jiang)可表示為(wei)：

　　其中，ε為該種電介質的介電常數。在實際應用中，人們通常將真空中的介電常數ε₀選作一個參照，而將電介質的介電常數ε與ε₀的比值定義成為一個無量綱的相對介電常數ε_r，如式(shi)(4) 所示(shi)：

　　由于真(zhen)(zhen)空(kong)(kong)是一個(ge)理(li)想的(de)電(dian)(dian)介質(zhi)(zhi)模型( 沒有原子、分子) ，所以，在(zai)(zai)實(shi)際電(dian)(dian)介質(zhi)(zhi)中由于束(shu)縛電(dian)(dian)荷效應使原電(dian)(dian)荷q所產生(sheng)的(de)電(dian)(dian)場有所下降的(de)情況在(zai)(zai)真(zhen)(zhen)空(kong)(kong)中不可能出現。因此(ci), 針對實(shi)際電(dian)(dian)介質(zhi)(zhi)的(de)相對介電(dian)(dian)常數Er 總(zong)是滿(man)足大于或等(deng)于1。

　　由(you)式(3) 可見，介電(dian)(dian)(dian)常數ε表示了電(dian)(dian)(dian)荷q 在電(dian)(dian)(dian)介質中所產生的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)場(chang)強度的(de)(de)(de)大小(xiao)的(de)(de)(de)一個(ge)制(zhi)約因(yin)素( 除了距離之外，也是(shi)(shi)*的(de)(de)(de)制(zhi)約因(yin)素) 。顯然(ran)，這種推(tui)論(lun)在靜電(dian)(dian)(dian)場(chang)的(de)(de)(de)情況(kuang)下是(shi)(shi)*可以被接受(shou)的(de)(de)(de)，但是(shi)(shi)若要將(jiang)這一推(tui)論(lun)直接應用(yong)到交(jiao)變(bian)(bian)電(dian)(dian)(dian)場(chang)的(de)(de)(de)情況(kuang)似乎還有(you)些不(bu)充(chong)分。交(jiao)變(bian)(bian)電(dian)(dian)(dian)場(chang)情況(kuang)下電(dian)(dian)(dian)介質的(de)(de)(de)微觀表現機理與(yu)宏觀作用(yong)的(de)(de)(de)研究取得(de)了一些成果，但是(shi)(shi)仍然(ran)有(you)待(dai)更加深入的(de)(de)(de)研究，也是(shi)(shi)目前電(dian)(dian)(dian)介質物(wu)理、量子物(wu)理的(de)(de)(de)重要研究方向和內容之一。

　　可(ke)以(yi)確認的是(shi)電介(jie)質的介(jie)電常(chang)數所表(biao)征的屬性在交變電場的情況下(xia)也會(hui)(hui)對交變電場產生影響(xiang)。比如，交變電場在電介(jie)質中的傳(chuan)播速度會(hui)(hui)降低, 頻率(lv)不變，波長會(hui)(hui)變短( 電磁傳(chuan)播理論(lun))并且(qie)介(jie)電常(chang)數越大，相應(ying)的改變也會(hui)(hui)越大。

標簽：介電常數測試儀 介電常數介質損耗測試儀  高頻介電常數測試儀

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