絕緣膏體電阻測試儀簡介：

可(ke)以在(zai)較(jiao)高(gao)測試頻(pin)率下測量(liang)高(gao)頻(pin)電(dian)感或諧振電(dian)路的(de)(de)Q值(zhi)，電(dian)感的(de)(de)電(dian)感和(he)(he)(he)(he)分(fen)布電(dian)容(rong)以及電(dian)容(rong)器的(de)(de)電(dian)容(rong)和(he)(he)(he)(he)損(sun)耗(hao)角正切。電(dian)氣材(cai)料的(de)(de)高(gao)頻(pin)介電(dian)損(sun)耗(hao)，高(gao)頻(pin)回(hui)路的(de)(de)有效并聯(lian)和(he)(he)(he)(he)串聯(lian)電(dian)阻，傳輸線的(de)(de)特(te)性阻抗等。 該(gai)設備廣泛用于科研(yan)機構，學校，工(gong)廠等部門。 它主(zhu)要用于測量(liang)玻璃，陶瓷和(he)(he)(he)(he)其他材(cai)料在(zai)高(gao)頻(pin)信(xin)號下的(de)(de)介電(dian)損(sun)耗(hao)和(he)(he)(he)(he)介電(dian)常數。

電源(yuan)——要求采用穩定(ding)的直流電壓電源(yuan)(見X1.7.3)。蓄電池或其(qi)它穩定(ding)直流電壓電源(yuan)已經證明(ming)適(shi)用于(yu)該用途。

保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)回路(lu)——不(bu)管是采用(yong)兩(liang)個電(dian)(dian)極(沒有保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu))測(ce)量絕緣材料的(de)(de)(de)電(dian)(dian)阻(zu),或者是采用(yong)三個終端系(xi)統(兩(liang)個電(dian)(dian)極加上保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu))測(ce)量絕緣材料的(de)(de)(de)電(dian)(dian)阻(zu),都(dou)要考(kao)慮(lv)怎樣(yang)在試(shi)(shi)驗(yan)設備和試(shi)(shi)驗(yan)樣(yang)本(ben)(ben)之間(jian)進(jin)行(xing)電(dian)(dian)連接(jie)。如果(guo)試(shi)(shi)驗(yan)樣(yang)本(ben)(ben)遠(yuan)離(li)試(shi)(shi)驗(yan)設備一段距離(li),或者試(shi)(shi)驗(yan)樣(yang)本(ben)(ben)在濕熱條(tiao)件下(xia)進(jin)行(xing)測(ce)試(shi)(shi),或者樣(yang)本(ben)(ben)電(dian)(dian)阻(zu)預期(qi)相對比較高(1010~1015ohms),則(ze)試(shi)(shi)驗(yan)設備和試(shi)(shi)驗(yan)樣(yang)本(ben)(ben)之間(jian)可(ke)能容易存在虛(xu)假(jia)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)阻(zu)通路(lu)。有必(bi)要采用(yong)保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)回路(lu)來使得這些(xie)虛(xu)假(jia)通路(lu)的(de)(de)(de)干(gan)涉降至*(也可(ke)見X1.9)。

帶保護電(dian)極(ji)——使(shi)用同軸電(dian)纜(lan),其(qi)芯部通(tong)向保護電(dian)極(ji),屏蔽(bi)端通(tong)向保護電(dian)極(ji),以使(shi)得試驗設備(bei)和(he)試驗樣本之間獲得適當的保護連接。

沒有(you)保護電極——使用同軸(zhou)電纜,芯部通向某(mou)一電極,屏蔽端端接到從芯部末端大約1cm處(也可(ke)見圖10)。

直(zhi)(zhi)接測量——采用(yong)任何設備(bei)(bei)(bei)(bei)(設備(bei)(bei)(bei)(bei)具有(you)±10%的(de)靈敏度(du)和精度(du))測量在固定(ding)電(dian)壓下(xia)通過樣本的(de)電(dian)流。適(shi)用(yong)的(de)電(dian)流測量設備(bei)(bei)(bei)(bei)包括靜電(dian)計,帶指示器的(de)直(zhi)(zhi)流放大器,和電(dian)流計。典(dian)型(xing)方法和回(hui)路見附錄X3規定(ding)。當校準測量設備(bei)(bei)(bei)(bei)刻度(du)盤來直(zhi)(zhi)接讀(du)取歐姆電(dian)阻值時,則不要求計算電(dian)阻測量值。

比(bi)(bi)較-電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)計——計算電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)或(huo)(huo)電(dian)(dian)(dian)(dian)導的(de)(de)(de)*百(bai)分(fen)比(bi)(bi)誤差(cha)(cha)是(shi)指Rs,電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)計偏(pian)(pian)移(yi)或(huo)(huo)放大(da)(da)(da)器(qi)讀數(shu)的(de)(de)(de)百(bai)分(fen)比(bi)(bi)誤差(cha)(cha)總和(he),同時假(jia)設電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)靈敏度(du)與偏(pian)(pian)移(yi)無(wu)關。對于(yu)新式電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)計(直流(liu)(liu)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)放大(da)(da)(da)器(qi)可(ke)能(neng)發生1/3刻(ke)度(du)偏(pian)(pian)移(yi)),后者的(de)(de)(de)假(jia)設精(jing)度(du)到±2%有用(yong)(yong)范圍之(zhi)內(nei)(在(zai)1/10滿(man)刻(ke)度(du)偏(pian)(pian)移(yi)之(zhi)上(shang))。Rs的(de)(de)(de)誤差(cha)(cha)取決于(yu)采(cai)用(yong)(yong)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)器(qi)類型,但是(shi)1MΩ電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)的(de)(de)(de)誤差(cha)(cha)極限低至(zhi)0.1%是(shi)適用(yong)(yong)的(de)(de)(de)。對于(yu)滿(man)刻(ke)度(du)偏(pian)(pian)移(yi),采(cai)用(yong)(yong)靈敏度(du)為(wei)10nA的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)計或(huo)(huo)直流(liu)(liu)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)放大(da)(da)(da)器(qi),500V施(shi)加到5TΩ電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)上(shang)將能(neng)產(chan)生1%的(de)(de)(de)偏(pian)(pian)移(yi)。在(zai)該電(dian)(dian)(dian)(dian)壓處,采(cai)用(yong)(yong)先前標記的(de)(de)(de)標準電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)器(qi),Fs=105,ds將大(da)(da)(da)約為(wei)1/2的(de)(de)(de)滿(man)刻(ke)度(du)偏(pian)(pian)移(yi),可(ke)讀性誤差(cha)(cha)不大(da)(da)(da)于(yu)±1%。如果dx大(da)(da)(da)約為(wei)1/4滿(man)刻(ke)度(du)偏(pian)(pian)移(yi),可(ke)讀性誤差(cha)(cha)將不超過±4%,同時可(ke)以在(zai)±5-1/2%*誤差(cha)(cha)下測(ce)量200GΩ電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)。

電(dian)(dian)壓(ya)變化速率(lv)——測量(liang)精度(du)直接與(yu)施(shi)加電(dian)(dian)壓(ya)和電(dian)(dian)流計讀數變化的時間率(lv)測量(liang)精度(du)成比例。靜電(dian)(dian)計開(kai)關打開(kai)的時間長短和采用的刻(ke)度(du)應使得可以精確測量(liang)時間,同時可獲得滿刻(ke)度(du)讀數。在這些條件下,精度(du)將與(yu)其它測量(liang)電(dian)(dian)流方法的精度(du)相當。

比較(jiao)電(dian)橋——當探(tan)測(ce)器(qi)(qi)具有適當的(de)靈敏(min)度,電(dian)腦電(dian)阻(zu)的(de)*百分(fen)比誤(wu)差(cha)(cha)是指臂A,B和(he)(he)N的(de)百分(fen)比誤(wu)差(cha)(cha)總和(he)(he)。當采(cai)用1 mV/分(fen)刻(ke)(ke)度的(de)探(tan)測(ce)器(qi)(qi)靈敏(min)度時,500V電(dian)壓施加到電(dian)橋上,RN=1GΩ,電(dian)阻(zu)為1000TΩ將能(neng)產生一個分(fen)刻(ke)(ke)度的(de)探(tan)測(ce)器(qi)(qi)偏移。假(jia)設忽略(lve)RA和(he)(he)RB的(de)誤(wu)差(cha)(cha),已知RN=1GΩ在±2%之內(nei),同時電(dian)橋平(ping)衡在一個探(tan)測(ce)器(qi)(qi)分(fen)刻(ke)(ke)度,可采(cai)用±6%的(de)*誤(wu)差(cha)(cha)來測(ce)量100TΩ的(de)電(dian)阻(zu)。

幾個(ge)制造商可提供必要的(de)滿足本方法要求的(de)零件或專用系(xi)統。

涂層漆體(ti)(ti)積電(dian)(dian)阻(zu)率測(ce)試儀測(ce)試電(dian)(dian)壓10V/50V/100V/250V/500V/1000V任意可調。具有(you)精度高、顯示(shi)迅速、性(xing)好穩定、讀(du)數方便。適用于橡膠、塑料、薄(bo)膜、地毯、織物及粉體(ti)(ti)、液體(ti)(ti)、及固(gu)體(ti)(ti)和(he)(he)膏體(ti)(ti)形(xing)狀的(de)各種絕緣材料體(ti)(ti)積和(he)(he)表面電(dian)(dian)阻(zu)值的(de)測(ce)定。

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絕緣膏體電阻測試儀注意事項：