膏體電阻測試儀簡介：

可以(yi)(yi)在(zai)較高測試頻(pin)率下測量高頻(pin)電(dian)(dian)感(gan)(gan)或諧振電(dian)(dian)路(lu)的Q值，電(dian)(dian)感(gan)(gan)的電(dian)(dian)感(gan)(gan)和分布電(dian)(dian)容以(yi)(yi)及(ji)電(dian)(dian)容器的電(dian)(dian)容和損耗(hao)角正切。電(dian)(dian)氣材料的高頻(pin)介(jie)電(dian)(dian)損耗(hao)，高頻(pin)回路(lu)的有效并(bing)聯和串聯電(dian)(dian)阻，傳輸線(xian)的特性阻抗等。 該(gai)設備廣泛用(yong)于(yu)科研機構，學(xue)校(xiao)，工廠等部(bu)門。 它主要(yao)用(yong)于(yu)測量玻璃，陶瓷和其(qi)他材料在(zai)高頻(pin)信號下的介(jie)電(dian)(dian)損耗(hao)和介(jie)電(dian)(dian)常數。

電(dian)(dian)(dian)源(yuan)——要求采用穩定的直流電(dian)(dian)(dian)壓(ya)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(見X1.7.3)。蓄電(dian)(dian)(dian)池(chi)或(huo)其它穩定直流電(dian)(dian)(dian)壓(ya)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)已(yi)經(jing)證(zheng)明適用于(yu)該用途。

保(bao)護回路(lu)——不管是采用(yong)(yong)兩個電(dian)(dian)極(沒(mei)有保(bao)護)測量(liang)(liang)絕緣材料(liao)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)阻(zu),或者(zhe)是采用(yong)(yong)三(san)個終(zhong)端(duan)系統(兩個電(dian)(dian)極加(jia)上保(bao)護)測量(liang)(liang)絕緣材料(liao)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)阻(zu),都要考慮怎樣在試(shi)驗(yan)(yan)設備和試(shi)驗(yan)(yan)樣本(ben)之間(jian)進(jin)行電(dian)(dian)連接。如果試(shi)驗(yan)(yan)樣本(ben)遠離(li)試(shi)驗(yan)(yan)設備一段距離(li),或者(zhe)試(shi)驗(yan)(yan)樣本(ben)在濕熱條件(jian)下進(jin)行測試(shi),或者(zhe)樣本(ben)電(dian)(dian)阻(zu)預期相(xiang)對比較高(1010~1015ohms),則試(shi)驗(yan)(yan)設備和試(shi)驗(yan)(yan)樣本(ben)之間(jian)可(ke)能容易存在虛假(jia)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)阻(zu)通路(lu)。有必要采用(yong)(yong)保(bao)護回路(lu)來使得這些虛假(jia)通路(lu)的(de)(de)(de)干(gan)涉降至(zhi)*(也可(ke)見X1.9)。

帶(dai)保(bao)(bao)(bao)護電(dian)極——使用同軸電(dian)纜(lan),其芯部通向保(bao)(bao)(bao)護電(dian)極,屏蔽端通向保(bao)(bao)(bao)護電(dian)極,以(yi)使得試驗設備和(he)試驗樣本之間獲得適(shi)當的保(bao)(bao)(bao)護連接。

沒有(you)保(bao)護電(dian)極——使用同(tong)軸電(dian)纜(lan),芯(xin)部通向某一電(dian)極,屏蔽端(duan)(duan)端(duan)(duan)接到從芯(xin)部末端(duan)(duan)大約1cm處(也可見圖10)。

直(zhi)接(jie)測(ce)(ce)量(liang)(liang)——采用(yong)任何設備(設備具(ju)有±10%的(de)(de)靈(ling)敏(min)度(du)和精度(du))測(ce)(ce)量(liang)(liang)在固定電(dian)(dian)壓下通過樣本的(de)(de)電(dian)(dian)流(liu)。適用(yong)的(de)(de)電(dian)(dian)流(liu)測(ce)(ce)量(liang)(liang)設備包括靜電(dian)(dian)計,帶(dai)指(zhi)示(shi)器的(de)(de)直(zhi)流(liu)放大器,和電(dian)(dian)流(liu)計。典型方法和回(hui)路(lu)見附錄X3規定。當校準測(ce)(ce)量(liang)(liang)設備刻度(du)盤來(lai)直(zhi)接(jie)讀取歐姆電(dian)(dian)阻(zu)值時,則不要(yao)求計算電(dian)(dian)阻(zu)測(ce)(ce)量(liang)(liang)值。

比較(jiao)-電(dian)流(liu)計(ji)——計(ji)算電(dian)阻(zu)(zu)(zu)或(huo)電(dian)導的(de)*百分比誤(wu)差(cha)(cha)是(shi)(shi)指Rs,電(dian)流(liu)計(ji)偏(pian)移(yi)或(huo)放大(da)(da)器讀數的(de)百分比誤(wu)差(cha)(cha)總和,同(tong)時假(jia)(jia)設(she)(she)電(dian)流(liu)靈敏度(du)與偏(pian)移(yi)無關。對于新式電(dian)流(liu)計(ji)(直流(liu)電(dian)流(liu)放大(da)(da)器可(ke)能發生(sheng)(sheng)1/3刻(ke)(ke)度(du)偏(pian)移(yi)),后者的(de)假(jia)(jia)設(she)(she)精度(du)到±2%有用范圍之內(在1/10滿(man)刻(ke)(ke)度(du)偏(pian)移(yi)之上)。Rs的(de)誤(wu)差(cha)(cha)取決于采(cai)(cai)用的(de)電(dian)阻(zu)(zu)(zu)器類(lei)型,但(dan)是(shi)(shi)1MΩ電(dian)阻(zu)(zu)(zu)的(de)誤(wu)差(cha)(cha)極限低至0.1%是(shi)(shi)適用的(de)。對于滿(man)刻(ke)(ke)度(du)偏(pian)移(yi),采(cai)(cai)用靈敏度(du)為(wei)10nA的(de)電(dian)流(liu)計(ji)或(huo)直流(liu)電(dian)流(liu)放大(da)(da)器,500V施(shi)加到5TΩ電(dian)阻(zu)(zu)(zu)上將(jiang)(jiang)能產(chan)生(sheng)(sheng)1%的(de)偏(pian)移(yi)。在該電(dian)壓(ya)處,采(cai)(cai)用先前標記的(de)標準電(dian)阻(zu)(zu)(zu)器,Fs=105,ds將(jiang)(jiang)大(da)(da)約為(wei)1/2的(de)滿(man)刻(ke)(ke)度(du)偏(pian)移(yi),可(ke)讀性(xing)誤(wu)差(cha)(cha)不(bu)大(da)(da)于±1%。如果dx大(da)(da)約為(wei)1/4滿(man)刻(ke)(ke)度(du)偏(pian)移(yi),可(ke)讀性(xing)誤(wu)差(cha)(cha)將(jiang)(jiang)不(bu)超過±4%,同(tong)時可(ke)以在±5-1/2%*誤(wu)差(cha)(cha)下測量(liang)200GΩ電(dian)阻(zu)(zu)(zu)。

電(dian)(dian)壓變(bian)化速率(lv)(lv)——測(ce)量精(jing)(jing)度(du)直接與施加電(dian)(dian)壓和(he)電(dian)(dian)流計(ji)讀數變(bian)化的(de)時(shi)(shi)間率(lv)(lv)測(ce)量精(jing)(jing)度(du)成比例。靜電(dian)(dian)計(ji)開(kai)(kai)關打開(kai)(kai)的(de)時(shi)(shi)間長短(duan)和(he)采用(yong)的(de)刻(ke)度(du)應使得可(ke)以精(jing)(jing)確測(ce)量時(shi)(shi)間,同時(shi)(shi)可(ke)獲得滿刻(ke)度(du)讀數。在(zai)這些條件下(xia),精(jing)(jing)度(du)將(jiang)與其(qi)它測(ce)量電(dian)(dian)流方法的(de)精(jing)(jing)度(du)相當。

比較電(dian)(dian)橋(qiao)(qiao)——當探(tan)測(ce)器具(ju)有(you)適當的(de)靈(ling)敏度(du)(du),電(dian)(dian)腦(nao)電(dian)(dian)阻的(de)*百分(fen)(fen)比誤(wu)差是指臂(bei)A,B和N的(de)百分(fen)(fen)比誤(wu)差總和。當采用(yong)1 mV/分(fen)(fen)刻度(du)(du)的(de)探(tan)測(ce)器靈(ling)敏度(du)(du)時,500V電(dian)(dian)壓施加到(dao)電(dian)(dian)橋(qiao)(qiao)上,RN=1GΩ,電(dian)(dian)阻為1000TΩ將能產生一個分(fen)(fen)刻度(du)(du)的(de)探(tan)測(ce)器偏移。假設忽略RA和RB的(de)誤(wu)差,已知RN=1GΩ在(zai)±2%之內(nei),同時電(dian)(dian)橋(qiao)(qiao)平衡(heng)在(zai)一個探(tan)測(ce)器分(fen)(fen)刻度(du)(du),可采用(yong)±6%的(de)*誤(wu)差來測(ce)量100TΩ的(de)電(dian)(dian)阻。

幾個制造商可提供必要(yao)的滿足本方法要(yao)求的零(ling)件或專用系統(tong)。

涂層漆體積(ji)電(dian)阻(zu)率測(ce)試(shi)(shi)儀測(ce)試(shi)(shi)電(dian)壓10V/50V/100V/250V/500V/1000V任意(yi)可調。具有精度(du)高、顯(xian)示迅速、性好穩(wen)定、讀數方便(bian)。適用于橡膠、塑料、薄膜、地(di)毯、織(zhi)物及粉體、液(ye)體、及固體和膏體形(xing)狀的各種絕緣材(cai)料體積(ji)和表面(mian)電(dian)阻(zu)值的測(ce)定。

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膏體電阻測試儀參數：

測量參數(shu)  絕(jue)緣電阻 R，泄(xie)漏電流 I，表面電阻 Rs，體(ti)積(ji)電阻 Rv

測(ce)試電(dian)壓 1-1000v任(ren)意電(dian)壓

測試范圍  5*102Ω~1X10 20Ω（超出顯(xian)示(shi)電流最大換算可到20次方），2mA ~ 0.01pA

測試(shi)速(su)度（MAX）  快(kuai)速(su) 5 次(ci)/秒(miao)，慢速(su) 1 次(ci)/秒(miao)，

回(hui)讀電壓(ya)精(jing)度  0.5%±1V

量(liang)程(cheng)超限顯示  量(liang)程(cheng)上超

輸入端(duan)子  香(xiang)蕉(jiao)插頭，BNC 插頭

操作鍵(jian)  橡膠鍵(jian)

顯示  4.3寸TFT

精度保證期  1年 根(gen)據(ju)計量證書(shu)有效期

操作溫度和濕(shi)度 0℃到40℃80%RH以下(無凝結)

存儲溫度(du)和濕(shi)度(du) -10℃到(dao)60℃ 80%RH以下(無凝結(jie))

符合標準：

GB/T 1410-2006《 固體(ti)絕緣材料(liao)體(ti)積電阻(zu)(zu)率(lv)和表(biao)面電阻(zu)(zu)率(lv)試驗方(fang)法》

ASTM D257-99《絕緣材料(liao)的(de)直(zhi)流電(dian)(dian)阻或電(dian)(dian)導試(shi)驗方法》

GB/T 10581-2006 《絕緣材料在高溫下電(dian)阻(zu)和電(dian)阻(zu)率(lv)的試(shi)驗方法》

GB/T 1692-2008 《硫化橡膠 絕緣(yuan)電阻率(lv)的測定(ding)》

GB/T 2439-2001《硫化(hua)橡膠或(huo)熱塑性橡膠 導電(dian)性能(neng)和耗(hao)散性能(neng)電(dian)阻率的(de)測定(ding)》

GB/T 12703.4-2010 《紡織品(pin) 靜(jing)電性能的評(ping)定(ding) 第(di)4部分：電阻率》

GB/T 10064-2006_《測定固(gu)體絕(jue)緣(yuan)材料絕(jue)緣(yuan)電(dian)阻的試驗方(fang)法》