GB1409介電常數測試儀高頻Q表能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯及串聯電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機關、學校、工廠等單位。

LKI-1電感組：

線圈(quan)號(hao)    測試(shi)頻率    Q值    分(fen)布電(dian)容p       電(dian)感(gan)值  

  9         100KHz      98       9.4           25mH

  8         400KHz     138       11.4        4.87mH

  7         400KHz    202       16           0.99mH

  6           1MHz     196       13          252μH

  5           2MHz     198       8.7        49.8μH

  4         4.5MHz    231       7             10μH

  3          12MHz      193     6.9         2.49μH

  2          12MHz      229     6.4        0.508μH            

  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH

技術參數：

1．Q值測量

a．Q值測量范圍：2～1023。

b．Q值(zhi)量(liang)程分(fen)檔：30、100、300、1000、自動(dong)換(huan)檔或手動(dong)換(huan)檔。

c．標稱誤差

     頻率范圍(wei)（100kHz～10MHz）： 頻率范圍(wei)（10MHz～160MHz）：

     固有誤差：≤5％±滿(man)度值(zhi)的(de)2% 固有誤差：≤6％±滿(man)度值(zhi)的(de)2%

     工作誤差(cha)：≤7％±滿(man)度(du)值的(de)(de)2% 工作誤差(cha)：≤8％±滿(man)度(du)值的(de)(de)2%

2．電感測量范圍：4.5nH~7.9mH

3．電容測量(liang)：1~205

     主(zhu)電容(rong)調(diao)節范圍：18～220pF

     準確度：150pF以下±1.5pF； 150pF以上(shang)±1%

     注(zhu)：大(da)于直接測量(liang)范圍的電容測量(liang)見后頁使(shi)用(yong)說明

4.  信號源頻率覆蓋范圍

     頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,

     CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,

5．Q合格(ge)指示預(yu)(yu)置功能:      預(yu)(yu)置范圍(wei)：5～1000。

6．B-測試儀正常工作(zuo)條件

a.  環境溫度：0℃～+40℃；

b．相對濕度：<80％；

c．電(dian)源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

7．其他

a．消耗(hao)功率(lv)：約25W；

b．凈重(zhong)：約7kg；

c. 外型尺寸：（l&times;b×h）mm：380×132×280。

GB1409介電常數測試儀電介質的用途

 電介質一(yi)般被(bei)用在兩(liang)個不(bu)同的方面(mian):

 用(yong)作電氣回路元件的支撐，并且使元件對地絕緣及元件之間(jian)相(xiang)互(hu)絕緣;

 用(yong)作電(dian)容器(qi)介質

溫度

損(sun)(sun)耗(hao)(hao)指數在一個(ge)(ge)頻率(lv)下可以出現一個(ge)(ge) 大值(zhi)，這個(ge)(ge)頻率(lv)值(zhi)與(yu)電(dian)介(jie)質材料(liao)的溫度(du)有關。介(jie)質損(sun)(sun)耗(hao)(hao)因數和電(dian)容率(lv)的溫度(du)系(xi)數可以是正的或負的，這取決(jue)于在測量溫度(du)下的介(jie)質損(sun)(sun)耗(hao)(hao)指數 大值(zhi)位置。

電場強度

存(cun)在界面極(ji)化時，自由離子的數目隨(sui)(sui)電場強(qiang)度增大而增加，其(qi)損耗(hao)指數 大值的大小和(he)位(wei)置也隨(sui)(sui)此而變。

 在較高的頻率下，只要電介質中不出現局部放電，電容(rong)率和(he)介質損(sun)耗因數與電場強度無關.

陶瓷材料的損(sun)耗

陶(tao)瓷材料的(de)介質(zhi)損耗(hao)(hao)主(zhu)要來源(yuan)于電(dian)導損耗(hao)(hao)、松弛質(zhi)點的(de)極化(hua)損耗(hao)(hao)和(he)結構損耗(hao)(hao)。此外，表面氣孔(kong)吸(xi)附水分、油污及(ji)灰塵等造(zao)成的(de)表面電(dian)導也會引起較大的(de)損耗(hao)(hao)。

在結(jie)(jie)構緊密的陶瓷(ci)中，介質損耗(hao)主(zhu)要來源于玻璃(li)相。為了改善某些陶瓷(ci)的工藝性能，往往在配方中引人此易(yi)熔(rong)物質（如黏(nian)土），形成玻璃(li)相，這樣(yang)就使損耗(hao)增大(da)(da)。如滑(hua)石(shi)瓷(ci)、尖晶石(shi)瓷(ci)隨(sui)黏(nian)土含(han)量增大(da)(da)，介質損耗(hao)也(ye)增大(da)(da)。因(yin)面一般(ban)高頻瓷(ci)，如氧(yang)化(hua)鋁瓷(ci)、金紅石(shi)等很少含(han)有玻璃(li)相。大(da)(da)多數電陶瓷(ci)的離子(zi)松弛極化(hua)損耗(hao)較大(da)(da)，主(zhu)要的原因(yin)是：主(zhu)晶相結(jie)(jie)構松散，生成了缺固(gu)濟體、多品型轉變等。

漏導損耗(hao)

實際使用中的(de)(de)絕緣材(cai)料都不(bu)是(shi)完善(shan)的(de)(de)理想的(de)(de)電(dian)介質(zhi)，在(zai)外(wai)電(dian)場的(de)(de)作用下，總有一(yi)些帶電(dian)粒子會發生移動(dong)而引(yin)起微弱(ruo)的(de)(de)電(dian)流(liu)(liu)，這(zhe)種微小電(dian)流(liu)(liu)稱(cheng)為漏導(dao)電(dian)流(liu)(liu)，漏導(dao)電(dian)流(liu)(liu)流(liu)(liu)經介質(zhi)時使介質(zhi)發熱(re)而損(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)了電(dian)能(neng)。這(zhe)種因(yin)(yin)電(dian)導(dao)而引(yin)起的(de)(de)介質(zhi)損(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)稱(cheng)為“漏導(dao)損(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)”。由于(yu)實阿的(de)(de)電(dian)介質(zhi)總存(cun)在(zai)一(yi)些缺(que)陷，或多(duo)或少存(cun)在(zai)一(yi)些帶電(dian)粒子或空位(wei)，因(yin)(yin)此介質(zhi)不(bu)論在(zai)直流(liu)(liu)電(dian)場或交變電(dian)場作用下都會發生漏導(dao)損(sun)(sun)(sun)(sun)耗(hao)。

介(jie)質損(sun)耗(hao)(hao)：絕緣(yuan)材料在(zai)電(dian)場(chang)作用(yong)下(xia)，由于介(jie)質電(dian)導和介(jie)質極化(hua)的(de)(de)滯后效應(ying)，在(zai)其(qi)內部引起的(de)(de)能量損(sun)耗(hao)(hao)。也叫介(jie)質損(sun)失，簡稱介(jie)損(sun)。在(zai)交變電(dian)場(chang)作用(yong)下(xia)，電(dian)介(jie)質內流過的(de)(de)電(dian)流相(xiang)量和電(dian)壓(ya)相(xiang)量之間的(de)(de)夾角（功率因數角Φ）的(de)(de)余角δ稱為(wei)介(jie)質損(sun)耗(hao)(hao)角。

損(sun)耗(hao)因子(zi)也指耗(hao)損(sun)正切，是交流電(dian)被轉化為(wei)熱(re)能(neng)的介電(dian)損(sun)耗(hao)（耗(hao)散的能(neng)量）的量度，一般情況下(xia)都期望耗(hao)損(sun)因子(zi)低些好 。

電(dian)介(jie)質(zhi)在恒(heng)定電(dian)場作用(yong)下，介(jie)質(zhi)損耗的功率(lv)為(wei)

　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd

定義單(dan)位體積的(de)介質(zhi)損耗(hao)為介質(zhi)損耗(hao)率為

ω=σE2

在交變(bian)電場作用下(xia)，電位移D與電場強度E均(jun)變(bian)為復數矢(shi)量，此時(shi)介電常數也變(bian)成復數，其虛部(bu)就表示了電介質中能(neng)量損耗(hao)的(de)大小(xiao)。

D，E，J之間的相位關系圖(tu)

D，E，J之間的相位關(guan)系圖

如圖所示，從電(dian)(dian)路(lu)觀點來看(kan)，電(dian)(dian)介質中的電(dian)(dian)流密(mi)度為(wei)

J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe

式中Jτ與E同相位。稱為有(you)功電(dian)流(liu)密度(du)，導致能(neng)量損耗(hao)；Je，相比較E超前90°，稱為無功電(dian)流(liu)密度(du)。

定義(yi)

tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ

式中，δ稱(cheng)為損(sun)耗角(jiao)，tanδ稱(cheng)為損(sun)耗角(jiao)正切值。

損(sun)耗(hao)角正切表示為(wei)獲得給定的存儲電荷要(yao)(yao)消耗(hao)的能量的大小，是電介(jie)(jie)質(zhi)作為(wei)絕緣材料使(shi)用(yong)時的重要(yao)(yao)評價(jia)參數(shu)(shu)。為(wei)了(le)減少(shao)介(jie)(jie)質(zhi)損(sun)耗(hao)，希望材料具有較小的介(jie)(jie)電常(chang)數(shu)(shu)和更(geng)小的損(sun)耗(hao)角正切。損(sun)耗(hao)因(yin)素的倒數(shu)(shu)Q=（tan&delta;）-1在高頻絕緣應用(yong)條件下稱為(wei)電介(jie)(jie)質(zhi)的品質(zhi)因(yin)素，希望它的值(zhi)要(yao)(yao)高。

主要(yao)特(te)點：

空洞共振腔適用于CCL/印刷(shua)線(xian)路板，薄(bo)膜(mo)等(deng)非破壞性(xing)低介電損(sun)耗材料(liao)量測(ce)。

印電(dian)路板主要由(you)玻(bo)纖與環氧樹脂組成(cheng)的(de)(de), 玻(bo)纖介電(dian)常(chang)數為5~6, 樹脂大約是3, 由(you)于樹脂含量, 硬化程(cheng)度, 溶劑殘留等(deng)因素會造成(cheng)介電(dian)特性的(de)(de)偏差(cha), 傳統測量方法樣(yang)品(pin)制(zhi)作不易, 尤其是薄膜樣(yang)品(pin)( 小于 10 mil) 量測值偏低(di),。