北廣工頻介電常數介質損耗測試儀高壓電橋采用典型的西林電橋線路。C4橋臂在基本量程時，與R4橋臂并聯，測量數值為正損耗因數。結構采用了雙層屏蔽。并通過輔橋的輔助平衡，消除寄生參數對電橋平衡的影響。輔橋由電位自動電位跟蹤器與內層屏蔽（S）組成。自動跟蹤器由電子元器件組成。它在橋頂B處取一輸入電壓，通過放大后，在內屏蔽（S）產生一個與B電位相等的電壓。當電橋在平衡時，A,B,S三點電位必然相等，從而達到自動跟蹤的目的。本電橋在平衡過程中，輔橋采用自動電位跟蹤，在主橋平衡過程的同時，輔橋也自動跟蹤始終處于平衡的狀態，用戶只要對主橋平衡進行操作就能得到可靠的所需數據。同時也有效的抑制了電壓波動對平衡所帶來的影響。在指零部分，采用了指針式電表指示，視覺直觀，分辨清楚，克服了以往振動式檢流計的缺點。

北廣工頻介電常數介質損耗測試儀

計算公式

Cx=R4× Cn / R3    R4[Ω]  R3[Ω]  Cn[pF]  Cx[pF]

tgδ=ω·R4·C4     R4[Ω]  C4[F]

當R4=10K/π

tgδ=C4      

當(dang)R4=1K/π

tgδ=0.1C4   

我們采(cai)取相(xiang)對固定R4電阻，分別調(diao)節R3和(he)C4使(shi)橋跟平衡，從(cong)而(er)測得試(shi)品的電容值Cx和(he)介質(zhi)損耗tg。本電橋為了直(zhi)讀出損耗值，取電阻R4的阻值為角(jiao)頻(pin)率（f=50Hz）若干倍。

公式說明

.頻率對介質損耗正公式：

本電橋額定(ding)的工作頻(pin)率f=50Hz，在實際工作頻(pin)率偏離(li)額定(ding)頻(pin)率時可用修正式進行修正：

tg=f^’·tgδ / f

式中：f    為額定工作頻率（f=50Hz）

f’   為實際工作頻率(lv)

tgδ  電(dian)橋測得損耗值

tgδ  為(wei)被測試品介質損耗角正(zheng)切的實際(ji)值

安全操作規程

1. 本(ben)儀器必須有(you)專人負責(ze)保管(guan)，使(shi)用，非專職操作者應在使(shi)用前了解(jie)和熟悉本(ben)說明書，以免造(zao)成不(bu)必要的損(sun)失和事故(gu)。
2. 每次使(shi)用前應仔細檢查接地線是(shi)否完好(hao)，確保以(yi)后方可通(tong)電使(shi)用。
3. 接通電源(yuan)前應(ying)將靈敏(min)度開(kai)關調到低位置。
4. 測量試(shi)品(pin)(pin)前應先對(dui)試(shi)品(pin)(pin)進行高壓(ya)試(shi)驗，證明在電(dian)橋(qiao)工作(zuo)電(dian)壓(ya)下無噪聲(sheng)，電(dian)離等現象出現，然后才能進行測試(shi)（若(ruo)試(shi)品(pin)(pin)己做(zuo)過高壓(ya)試(shi)驗，該項(xiang)可不(bu)必每次測量都做(zuo)）。
5. 對試(shi)品施加高壓(ya)時緩慢升高，不可以加突變(bian)電壓(ya)。
6. 測試時(shi)操作(zuo)(zuo)人員必須集中思想，工(gong)作(zuo)(zuo)前(qian)做好一切準備工(gong)作(zuo)(zuo)，測試地點周圍(wei)應有明顯的標記或金屬屏蔽圍(wei)成高壓危險區，以防止非(fei)操作(zuo)(zuo)人員闖(chuang)入(ru)。
7. 在測量(liang)過程(cheng)中(zhong)，如(ru)有放電管發光時(shi)，則必須及時(shi)切斷電源，仔細檢查(cha)接線(xian)及試(shi)品都(dou)無擊穿，待檢查(cha)排除(chu)故障后，再進行高壓測量(liang)工(gong)作。

8. 電橋的特點；

    l橋體(ti)內附電(dian)位跟蹤器及指零(ling)儀，外圍接線及少(shao)。

   l電(dian)橋采用接(jie)觸電(dian)阻小，機械壽(shou)命長的(de)十進開關，保證測量的(de)穩(wen)定性

   l儀器具有(you)(you)雙屏蔽，能有(you)(you)效防止(zhi)外部(bu)電磁場的(de)干擾。

   l儀器(qi)內部電(dian)阻及電(dian)容元件(jian)經特(te)殊老化處理，使儀器(qi)技術性(xing)能穩定可靠。

   l內附高壓電源精度3%

   l內附(fu)標準電(dian)容損耗﹤0.00005，名(ming)義值(zhi)100pF

9. 技術指標測量范圍及誤差

10. 本電橋(qiao)的(de)環境溫度為20±5℃，相(xiang)對濕(shi)度為30%-80%條件下，應(ying)滿足下列表中的(de)技(ji)術指示要求。

    在Cn=100 pF      R4=3183.2（Ω）時

    測量項目	測量范(fan)圍	測(ce)量誤差(cha)
    電容量Cx	40pF—20000pF	±0.5%  Cx±2pF
    介(jie)損損耗tgδ	0-1	±1.5%  tgδx±0.0001

    在Cn=100 pF    R4=318.3（Ω）時

    測量項目	測量范(fan)圍	測量誤差
    電容(rong)量Cx	4pF—2000pF	±0.5%  Cx±3pF
    介損(sun)損(sun)耗(hao)tgδ	0-0.1	±1.5%  tgδx±0.0001