高頻微波介電常數試驗儀電介質在外電場作用下，其內部會有發熱現象，這說明有部分電能已轉化為熱能耗散掉，電介質在電場作用下，在單位時間內因發熱而消耗的能量稱為電介質的損耗功率，或簡稱介質損耗（diclectric  loss）。介質損耗是應用于交流電場中電介質的重要品質指標之一。介質損耗不但消耗了電能，而且使元件發熱影響其正常工作。如果介電損耗較大，甚至會引起介質的過熱而絕緣破壞，所以從這種意義上講，介質損耗越小越好。

測量方法(fa)的選擇(ze)：

 GDAT-A測量電容(rong)率和(he)介質(zhi)損耗因數(shu)的方(fang)法可(ke)分成兩(liang)種:零(ling)點指示法和(he)諧(xie)振法。

1  零點(dian)指示法(fa)適用于頻率不(bu)超過(guo)50  MHz時的測(ce)量。測(ce)量電(dian)容率和(he)(he)介質損(sun)耗因(yin)數(shu)可(ke)用替代法(fa);也(ye)就是(shi)在接人試(shi)樣和(he)(he)不(bu)接試(shi)樣兩種狀態下，調節回(hui)路(lu)的一個臂使電(dian)橋平衡(heng)。通常回(hui)路(lu)采用西林電(dian)橋、變壓器電(dian)橋(也(ye)就是(shi)互感藕合比(bi)例臂電(dian)橋)和(he)(he)并聯(lian)  T型網絡。變壓器電(dian)橋的優點(dian):采用保(bao)護(hu)電(dian)極(ji)(ji)不(bu)需任何外加附件或(huo)過(guo)多(duo)操(cao)作，就可(ke)采用保(bao)護(hu)電(dian)極(ji)(ji);它沒有其他(ta)網絡的缺點(dian)。

2 諧振法(fa)(fa)適用(yong)于10  kHz一幾(ji)百MHz的(de)(de)頻率(lv)范圍(wei)內的(de)(de)測量。該方(fang)法(fa)(fa)為替代法(fa)(fa)測量，常用(yong)的(de)(de)是變電(dian)抗法(fa)(fa)。但該方(fang)法(fa)(fa)不適合采(cai)用(yong)保護電(dian)極。

 注:典(dian)型的(de)電(dian)橋和(he)電(dian)路示例見附(fu)錄(lu)。附(fu)錄(lu)中所舉(ju)的(de)例子自然是不全(quan)面的(de)，敘述電(dian)橋和(he)側量方法報導見有(you)關文獻和(he)該種儀(yi)器的(de)原理(li)說明(ming)書

主要技(ji)術特(te)性：

介(jie)(jie)質(zhi)損(sun)耗(hao)(hao)和介(jie)(jie)電(dian)常數(shu)是各(ge)種(zhong)電(dian)瓷、裝(zhuang)置瓷、電(dian)容(rong)器(qi)等(deng)陶(tao)瓷，還有復合材料等(deng)的(de)一(yi)項重要(yao)的(de)物理性質(zhi)，通過測(ce)(ce)定介(jie)(jie)質(zhi)損(sun)耗(hao)(hao)角正(zheng)切tanδ及介(jie)(jie)電(dian)常數(shu)(ε)，可進一(yi)步了(le)解影(ying)響(xiang)介(jie)(jie)質(zhi)損(sun)耗(hao)(hao)和介(jie)(jie)電(dian)常數(shu)的(de)各(ge)種(zhong)因素，為提(ti)高(gao)材料的(de)性能(neng)(neng)提(ti)供依據；儀器(qi)的(de)基本原(yuan)理是采用(yong)(yong)高(gao)頻諧振法，并(bing)(bing)提(ti)供了(le)，通用(yong)(yong)、多(duo)用(yong)(yong)途、多(duo)量(liang)程的(de)阻抗(kang)測(ce)(ce)試(shi)。它以單片計算機作為儀器(qi)的(de)控制，測(ce)(ce)量(liang)核心采用(yong)(yong)了(le)頻率(lv)數(shu)字鎖定，標準頻率(lv)測(ce)(ce)試(shi)點自動設(she)定，諧振點自動搜(sou)索，Q值(zhi)(zhi)量(liang)程自動轉換，數(shu)值(zhi)(zhi)顯示等(deng)新(xin)技術，改進了(le)調諧回路(lu)，使得(de)調諧測(ce)(ce)試(shi)回路(lu)的(de)殘余電(dian)感(gan)(gan)減(jian)至低(di)，并(bing)(bing)保(bao)留了(le)原(yuan)Q表中自動穩幅等(deng)技術，使得(de)新(xin)儀器(qi)在使用(yong)(yong)時(shi)更(geng)為方便(bian)，測(ce)(ce)量(liang)值(zhi)(zhi)更(geng)為精確(que)。儀器(qi)能(neng)(neng)在較高(gao)的(de)測(ce)(ce)試(shi)頻率(lv)條件下，測(ce)(ce)量(liang)高(gao)頻電(dian)感(gan)(gan)或諧振回路(lu)的(de)Q值(zhi)(zhi)，電(dian)感(gan)(gan)器(qi)的(de)電(dian)感(gan)(gan)量(liang)和分布(bu)電(dian)容(rong)量(liang)，電(dian)容(rong)器(qi)的(de)電(dian)容(rong)量(liang)和損(sun)耗(hao)(hao)角正(zheng)切值(zhi)(zhi)，電(dian)工(gong)材料的(de)高(gao)頻介(jie)(jie)質(zhi)損(sun)耗(hao)(hao)，高(gao)頻回路(lu)有效并(bing)(bing)聯及串聯電(dian)阻，傳(chuan)輸(shu)線的(de)特性阻抗(kang)等(deng)。

使用方法

高頻(pin)Q表(biao)是多(duo)用途(tu)的阻抗測量儀器，為了(le)提高測量精度，除了(le)使Q表(biao)測試(shi)回(hui)(hui)路本身殘(can)余(yu)參(can)量盡可(ke)能(neng)地(di)小，使耦合(he)回(hui)(hui)路的頻(pin)響盡可(ke)能(neng)地(di)好之外，還要掌握(wo)正確的測試(shi)方(fang)法和殘(can)余(yu)參(can)數修正方(fang)法。

1．測試注(zhu)意(yi)事項

a．本儀器應水平(ping)安放(fang)；

b．如果你需要較精確地測(ce)量，請接通電(dian)源后，預熱(re)30分鐘；

c．調(diao)(diao)節主調(diao)(diao)電容或主調(diao)(diao)電容數(shu)碼(ma)開關時，當接近諧振點時請緩調(diao)(diao)；

d．被測件和(he)測試電(dian)路接(jie)線柱間的接(jie)線應盡(jin)量短(duan)，足夠(gou)粗，并應接(jie)觸(chu)良好、可靠，以(yi)減(jian)少(shao)因接(jie)線的電(dian)阻和(he)分布參(can)數所帶來的測量誤差；

e．被測件不要(yao)直接擱(ge)在面(mian)板(ban)頂部，離頂部一公分以上，必(bi)要(yao)時可用低損(sun)耗的(de)絕緣材(cai)料如聚苯乙(yi)烯等做成的(de)襯墊物(wu)襯墊；

f．手(shou)不得靠近試件，以免人體(ti)感應(ying)(ying)影響造成(cheng)測量誤差，有屏蔽的(de)試件，屏蔽罩應(ying)(ying)連(lian)接(jie)在低電位端的(de)接(jie)線柱(zhu)。

2．高頻線圈的Q值(zhi)測量(liang)（基(ji)本測量(liang)法(fa)）

高頻/音頻介電常(chang)數(shu)測(ce)試儀(yi)GDAT-A原(yuan)始包(bao)裝：

請(qing)保留所有(you)的(de)原始包(bao)(bao)(bao)裝材料(liao)(liao)，如果(guo)機(ji)器必(bi)須回(hui)廠維修，請(qing)用原來的(de)包(bao)(bao)(bao)裝材料(liao)(liao)包(bao)(bao)(bao)裝。并請(qing)先與制造廠的(de)維修中心聯絡。送修時，請(qing)務必(bi)將全部的(de)附件一起送回(hui)，請(qing)注明故障現象和原因。另外，請(qing)在(zai)包(bao)(bao)(bao)裝上(shang)注明“易碎品”請(qing)小心搬運。

安全注意事項：

開機(ji)之前(qian)(qian)，敬(jing)請仔細閱讀(du)本  使(shi)用(yong)指南，以(yi)防止出現對(dui)(dui)操作(zuo)人員(yuan)的(de)(de)意外(wai)傷害或(huo)對(dui)(dui)儀器的(de)(de)損壞等的(de)(de)事件。操作(zuo)前(qian)(qian)，請閱讀(du)“安(an)裝(zhuang)與(yu)設置”，保證對(dui)(dui)儀器各(ge)部(bu)件的(de)(de)正確安(an)裝(zhuang)與(yu)連(lian)接。在(zai)*次操作(zuo)前(qian)(qian)，務必請有操作(zuo)經驗的(de)(de)人員(yuan)進行指導(dao)(dao)，防止誤操作(zuo)造(zao)成意外(wai)事件的(de)(de)發(fa)生(sheng)。電擊危險：  確保在(zai)安(an)裝(zhuang)或(huo)維修該(gai)儀器之前(qian)(qian)使(shi)所(suo)有導(dao)(dao)線斷(duan)電，防止在(zai)帶(dai)電情況下，對(dui)(dui)人員(yuan)或(huo)設備(bei)造(zao)成傷害。

注(zhu)意事(shi)項:  1、該儀器初始的包裝(zhuang)材(cai)料(liao)需(xu)小心保存(cun)，安(an)裝(zhuang)需(xu)由本公(gong)司的專業技術人員進(jin)行(xing)操(cao)(cao)作。2、若儀器由于任何原(yuan)因必須返修(xiu)，必須將其裝(zhuang)入原(yuan)紙箱中以防運輸途中損壞。3、在開機前，操(cao)(cao)作者要首先(xian)熟悉操(cao)(cao)作方法。

高頻微波介電常數試驗儀技術參數：

1．Q值測量(liang)

a．Q值測量范圍：2～1023。

b．Q值量程(cheng)分檔：30、100、300、1000、自動(dong)(dong)換(huan)檔或手(shou)動(dong)(dong)換(huan)檔。

c．標稱誤差

     頻(pin)率范(fan)圍(wei)（100kHz～10MHz）：  頻(pin)率范(fan)圍(wei)（10MHz～160MHz）：

     固(gu)有誤差(cha)：≤5％±滿度值的2%  固(gu)有誤差(cha)：≤6％±滿度值的2%

   ;  工作誤差：≤7％±滿(man)度(du)值的(de)2%  工作誤差：≤8％±滿(man)度(du)值的(de)2%

2．電感測量范圍：4.5nH~7.9mH

3．電容測量(liang)：1~205

    ; 主(zhu)電容調節范圍：18～220pF

     準確度：150pF以(yi)下±1.5pF；  150pF以(yi)上±1%

     注：大于(yu)直接(jie)測量(liang)范(fan)圍(wei)的電容測量(liang)見后頁使(shi)用說明

4.   信號源頻率覆蓋范圍(wei)

  ;   頻率范圍(wei)CH1:0.1～0.999999MHz, CH2:  1～9.99999MHz,

     ;CH3:10～99.9999MHz, CH1  :100～160MHz,

5．Q合格指(zhi)示預置功能:      預置范(fan)圍：5～1000。

6．B-測試儀正常工(gong)作條件

a.   環境溫度：0℃～+40℃；

b．相(xiang)對濕度(du)：<80％；

c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

7．其他

a．消耗功率(lv)：約(yue)25W；

b．凈重：約(yue)7kg；

c.  外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

注意事項

a．本儀器應水平安放；

b．如果你(ni)需要較精(jing)確地測量(liang)，請(qing)接(jie)通電源(yuan)后，預熱30分鐘；

c．調節(jie)主調電容(rong)或主調電容(rong)數碼開(kai)關時，當接近(jin)諧(xie)振點時請緩調；

d．被測件和測試電路接(jie)線柱間的(de)(de)接(jie)線應(ying)盡量短(duan)，足夠(gou)粗(cu)，并應(ying)接(jie)觸(chu)良(liang)好、可靠，以減少(shao)因接(jie)線的(de)(de)電阻和分布參(can)數所帶(dai)來的(de)(de)測量誤差；

e．被測件不要(yao)(yao)直(zhi)接擱在面板頂部，離頂部一(yi)公分以上(shang)，必(bi)要(yao)(yao)時(shi)可用低損(sun)耗的絕(jue)緣材料如聚苯乙烯等做(zuo)成的襯墊物襯墊；

f．手不得(de)靠近試(shi)件(jian)，以免人體(ti)感應影響造成測(ce)量誤差，有屏蔽的試(shi)件(jian)，屏蔽罩應連接在低(di)電(dian)位端的接線柱。

影響介電性(xing)能的(de)因素

 下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiang)度對介電性能的影響。

1頻(pin)率

 因為只有少數材料如石英玻璃、聚(ju)苯乙烯或聚(ju)乙烯在很寬的(de)頻率范圍(wei)內(nei)它(ta)們的(de) 。r和  tans幾乎是恒定的(de)，且(qie)被(bei)用(yong)作工(gong)程(cheng)電介質材料，然(ran)而一般的(de)電介質材料必須在所使用(yong)的(de)頻率下(xia)測量其介質損耗因數和電容率。

 電(dian)容率(lv)和(he)介質(zhi)損耗因(yin)數的(de)(de)(de)(de)變(bian)化(hua)是由于介質(zhi)極(ji)(ji)化(hua)和(he)電(dian)導而產生，重要的(de)(de)(de)(de)變(bian)化(hua)是極(ji)(ji)性分子(zi)引起(qi)的(de)(de)(de)(de)偶極(ji)(ji)子(zi)極(ji)(ji)化(hua)和(he)材料的(de)(de)(de)(de)不均勻性導致的(de)(de)(de)(de)界面極(ji)(ji)化(hua)所引起(qi)的(de)(de)(de)(de).

2溫度

 損耗(hao)(hao)指數(shu)在(zai)一(yi)個(ge)頻(pin)率(lv)(lv)下可以出現一(yi)個(ge)大值，這(zhe)個(ge)頻(pin)率(lv)(lv)值與電(dian)介(jie)質材料的(de)溫(wen)度(du)有關。介(jie)質損耗(hao)(hao)因數(shu)和電(dian)容率(lv)(lv)的(de)溫(wen)度(du)系數(shu)可以是正(zheng)的(de)或負的(de)，這(zhe)取決于在(zai)測量溫(wen)度(du)下的(de)介(jie)質損耗(hao)(hao)指數(shu)大值位置。

3濕度

 極化(hua)的程度隨水(shui)(shui)分(fen)的吸收(shou)量(liang)或電介質材料表(biao)面水(shui)(shui)膜的形成而增(zeng)加，其結果使電容率、介質損(sun)耗因數和(he)直流(liu)電導率增(zeng)大。因此試驗前和(he)試驗時(shi)對(dui)環境濕度進行控制(zhi)是*的.

&nbsp;注:濕度的顯(xian)著影響(xiang)常(chang)(chang)常(chang)(chang)發生在 1MHz以下及(ji)微波頻率(lv)范圍內(nei)

4電(dian)場強度

 存在(zai)界面極化時，自由離子(zi)的數(shu)目隨電(dian)場強度增大(da)(da)而增加(jia)，其損耗指數(shu)大(da)(da)值(zhi)的大(da)(da)小和位(wei)置也(ye)隨此而變。

 在較高的頻率(lv)下(xia)，只要電(dian)介(jie)質中(zhong)不出現(xian)局(ju)部放電(dian)，電(dian)容(rong)率(lv)和介(jie)質損耗(hao)因(yin)數(shu)與電(dian)場強度無(wu)關