介電常數測試儀應用范圍和介紹
應用范圍：
測量絕緣材料的介電常數和介質損耗系數（介質損耗角正切值）
技術參數：
| 序號 | 項目 | 參數 |
| 1 | 信號源 | DDS數字合成 10KHZ-70MHz |
| 2 | 調諧電容 | 主電容30-500PF |
| 3 | 調諧電容誤差和分辨率 | ±1.5P或<1%< p=""> |
| 4 | Q測量范圍 | 1-1000自動/手動量程 |
| 5 | Q測量工作誤差 | <5%< p=""> |
| 6 | Q分辨率 | 4位有效數，分辨率0.1 |
儀器自動扣除殘余電感和測試引線電感。大幅提高測量精度。
大電容值直接測量顯示。
參照標準：ASTM D150-11實心電絕緣材料的交流損耗特性和電容率（介電常數）的標準試驗方法；
GB/T1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻(pin)、音(yin)頻(pin)、高頻(pin)下電容率和介質損耗因(yin)數的推薦方法；
GB/T1693-2007硫(liu)化(hua)橡膠介電常(chang)數和介質損耗(hao)角正切值的測定方法；
GBT5594.4-2015電(dian)子(zi)元器件結構陶瓷材(cai)料性能測試(shi)方(fang)法(fa)第4部(bu)分:介電(dian)常數和介質(zhi)損耗(hao)角(jiao)正切值的測試(shi)方(fang)法(fa)；
GB/T 1693-2007、ASTM D150-11、GB/T1409-2006、GBT5594.4-2015介(jie)(jie)電性能(neng)測試(shi)儀 GB/T 1693 ASTM D150是各種(zhong)金屬(shu)氧(yang)化物，板材(cai)(cai)，瓷(ci)器(qi)（陶器(qi)），云母，玻璃，塑料等物質的(de)(de)(de)一項重(zhong)要的(de)(de)(de)物理性質。通過測定可進一步(bu)了解(jie)影響介(jie)(jie)質損耗和介(jie)(jie)電常數的(de)(de)(de)各種(zhong)因素，為提高材(cai)(cai)料的(de)(de)(de)性能(neng)提供(gong)依據。該儀器(qi)用于科研機(ji)關、學校、工廠等單位對無機(ji)金屬(shu)新材(cai)(cai)料性能(neng)的(de)(de)(de)應用研究(jiu)。
產品介紹:
介質損(sun)耗和介電常數(shu)是各(ge)種(zhong)金屬氧化物(wu)(wu)，板(ban)材(cai)，瓷(ci)器(qi)（陶器(qi)），云母，玻(bo)璃，塑料(liao)等物(wu)(wu)質的一項重要的物(wu)(wu)理(li)性質。通(tong)過測定可進一步了(le)解影響介質損(sun)耗和介電常數(shu)的各(ge)種(zhong)因(yin)素，為提(ti)高材(cai)料(liao)的性能提(ti)供依據。該儀器(qi)用于(yu)科研機關、學校(xiao)、工廠(chang)等單(dan)位對(dui)無機金屬新(xin)材(cai)料(liao)性能的應用研究。
介電常數測試儀術語
定義：
這些試驗方(fang)法所用術語(yu)定義以及(ji)電絕緣材料相關術語(yu)定義見(jian)術語(yu)標準D1711。
本(ben)標準(zhun)專用術(shu)語定義：
電容，C，名(ming)詞——當(dang)導體之間存在(zai)電勢差(cha)時，導體和電介質系統允許儲存電分(fen)離電荷的性(xing)能(neng)。
討論——電(dian)容(rong)是(shi)(shi)指電(dian)流電(dian)量 q與電(dian)位(wei)(wei)差V之間的比值。電(dian)容(rong)值總是(shi)(shi)正值。當電(dian)量采用庫倫(lun)為單位(wei)(wei)，電(dian)位(wei)(wei)采用伏(fu)特為單位(wei)(wei)時，電(dian)容(rong)單位(wei)(wei)為法拉，即：
C=q/V （1）
耗散(san)因子（D），（損耗角正(zheng)切），（tanδ），名詞——是(shi)指(zhi)損耗指(zhi)數（K''）與(yu)相(xiang)對電容率（K'）之(zhi)間的比值(zhi)，它還等(deng)于(yu)其損耗角（δ）的正(zheng)切值(zhi)或者其相(xiang)位角（θ）的余切值(zhi)（見圖1和(he)圖2）。
D=K''/K' (2)
4 相關ASTM標準(zhun)，ASTM標準(zhun)手冊卷次信息，可參見ASTM網站(zhan)標準(zhun)文件匯總(zong)。
5 該(gai)歷史(shi)標準的(de)較后批準版(ban)討論——a：
D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp (3)
式中：
G=等效交流電導，
Xp=并聯電抗，
Rp=等效交流并聯電(dian)阻(zu)，
Cp=并聯電容，
ω=2πf（假設為正弦波形(xing)狀）
耗散因(yin)子(zi)(zi)的倒數為(wei)(wei)品質因(yin)子(zi)(zi)Q，有時(shi)成為(wei)(wei)儲(chu)能因(yin)子(zi)(zi)。對于串聯和并聯模型(xing)，電容(rong)器(qi)耗散因(yin)子(zi)(zi)D都是相(xiang)同的，按(an)如下表(biao)示為(wei)(wei)：
D=ωRsCs=1/ωRpCp (4)
串(chuan)聯和并聯部分之間的關系(xi)滿足(zu)以下要(yao)求：
Cp=Cs/(1 D2) (5)
Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2 (6)
